AWK - Salinga, Martin Stefan

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Dr. Martin Salinga

Martin Salinga

Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule (RWTH) Aachen
I. Physikalisches Institut (IA)
Sommerfeldstraße 14 | 52074 Aachen
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„Wo kämen wir hin, wenn alle sagten, wo kämen wir hin, und niemand ginge, um einmal zu schauen, wohin wir kämen, wenn wir gingen?“
Kurt Marti

 

Vita
Martin Salinga (Jahrgang 1979) forscht und lehrt als akademischer Oberrat am Institut für Physik neuer Materialien der RWTH Aachen. Nach insgesamt zweijährigen Forschungsaufenthalten an der Harvard University und dem IBM Almaden Research Center im Silicon Valley kehrte er Ende 2006 an seine alma mater, die RWTH Aachen, zurück. Hier setzte er seine Studien über die Schalteigenschaften von Phasenwechselmaterialien fort und trat im Anschluss an seine Promotion im Sommer 2008 eine permanente Stelle als Gruppenleiter an. Seit Juli 2011 ist er Teilprojektleiter im Sonderforschungsbereich “Nanoswitches” und als dessen Geschäftsführer auch Mitglied der Lenkungsgruppe. Gemeinsam mit seinem Team erforscht er die Dynamik resistiv schaltender Materialien und ihre Anwendungsmöglichkeiten in neuartiger Elektronik. Als Grantee des European Research Council richtet er seine Studien aktuell vor allem auf die Informationsverarbeitung mittels neuromorpher Hardware aus.

Forschung
Nach jahrzehntelanger Perfektionierung von Computern mit herkömmlicher Architektur ist heute klar, dass mit der bisherigen Logik niemals die Effizienz biologischer neuronaler Netze erreicht werden kann. Stattdessen bereits beim Design künstlicher Elektronik zur Informationsverarbeitung dem Beispiel der Natur im Hinblick auf ihre grundlegenden Funktionsprinzipien zu folgen, ist das Credo der Forschung an neuromorpher Hardware.
Die Forschungsgruppe unter Leitung von Martin Salinga zielt dabei auf die Entwicklung kompakter Bauelemente, die die Veränderung der Stärke synaptischer Verbindungen zwischen künstlichen Neuronen regeln. Wegen der natürlichen Dynamik ihrer elektrischen Anregbarkeit werden hierfür geeignete amorphe Halbleiter eingesetzt. Die Etablierung eines umfassenden Verständnisses der Relaxationsprozesse in solchen amorphen Materialien ist daher ein entscheidender Bestandteil dieses Forschungsgebietes.

Ausgewählte Publikationen

  • M. Salinga, E. Carria, A. Kaldenbach, M. Bornhöfft, J. Benke, J. Mayer, M. Wuttig: Measurement of crystal growth velocity in a melt- quenched phase-change material; Nature Communications, Vol. 4, Art. No. 2371, (2013).
  • D. Lencer, M. Salinga, B. Grabowski, T. Hickel, J. Neugebauer, M. Wuttig: A map for phase-change materials; Nature Materials 7, 972–977 (2008).
  • S. Raoux, G. W. Burr, M. J. Breitwisch, C. T. Rettner, Y.-C. Chen, R. M. Shelby, M. Salinga, D. Krebs, S.-H. Chen, H.-L. Lung, C. H. Lam: Phase Change Random Access Memory — A Scalable Technology; IBM Journal of Research and Development 52(4–5): 465–480 (2008).

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